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中國科學家晶體管開發取得突破

8月9日電/中國研究人員8日在美國《科學》雜誌上報告說,他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破,發明瞭一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件,可讓數據擦寫更容易、迅速,整個過程都可在低電壓條件下完成,為實現芯片低功耗運行創造了條件。
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  研究負責人、復旦大學教授王鵬飛說:“我國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術,在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管作為一種新型的微電子基礎器件,它的成功研製將有助我國掌握集成電路的核心技術,從而在芯片設計與製造上逐漸獲得更多話語權。” 6 O) B7 B* s2 |  x
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  據王鵬飛介紹,金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是目前集成電路中的主流器件,過去幾十年工藝的進步讓MOSFET晶體管的尺寸不斷縮小,越來越接近其物理極限,基於新結構和新原理的晶體管成為當前業界急需。半浮柵晶體管的前瞻研究就是在這種情況下展開。 TVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。8 L  W/ S! x- ]' ~+ M! M
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  他說,半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內嵌一個廣泛用於低功耗電路的裝置——隧穿場效應晶體管(TFET)製成。半浮柵晶體管的優勢在於體積可更小,結構更簡單,讀寫速度更快,且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。 tvb now,tvbnow,bttvb( w: X5 X1 l2 N' S

3 S( ~* q7 E  e/ y) K7 ^, gTVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。  據報道,半浮柵晶體管不但能應用於存儲器,還可應用於主動式圖像感測器芯片(APS),讓新型圖像感測器單元在面積上能縮小20%以上,並使圖像感測器的分辨率和靈敏度得到提升。 ( U" {& d; W6 A) K

0 @( b/ S* G  U$ B' b8 i6 w' l  對於這項技術的產業化前景,王鵬飛說,新型器件往往還需要經過深入研究、性能優化等大量工作才能逐步實現產業化,目前針對這個器件的優化和電路設計工作已經開始。
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