/ L3 i5 t7 w; u$ F+ Q* r T3 ^8 I, HTVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。Leti 和 IBM 的研究人員以及SOI晶圓供應商 Soitec 正共同開發 FDSOI 技術。而與ST-Ericsson的合作則將為該技術提供一個可微縮到20nm及以下製程的開發平台。 # F- A& }7 A( O3 y7 h$ H2 n! d& ]% l4 |% L4 S7 Z2 X! X
Leti的研究人員表示可在22nm節點達到更小的閘極長度,並因而減少了寄生效能。這將大幅提升性能,再加上使用種為背閘偏置(back-gate biasing)的技術, 2 r" |$ P$ \& ^% X- k3 M公仔箱論壇還可降低功耗,讓製造商在行動市場中為其產品提供「顯著的差異化」,ST的Magarshack說。 + N* I% b% D1 R F- [
0 ]3 k: b% T- ]os.tvboxnow.com他進一步表示,ST正與Globalfoundries合作推動「FDSOI生態系統」。ARM公司的Ron Moore也指出,下一步將再把該製程的低功耗優勢擴展到伺服器和其他的行動基礎設施領域。 1 \; o4 G# w' o, J! x公仔箱論壇os.tvboxnow.com8 ^1 Y" ^' M7 z& ^
Moore指出,目前的行動基礎設施大約是用一台伺服器來支援600部智慧手機的使用。未來幾年內,隨著可預見的智慧手機爆炸性成長趨勢,預計也將需要更多伺服器來支援,+ T; t. S% \! Z& [( ^) Z
屆時,這些設備都會更需要低功耗特性和提升性能。 os.tvboxnow.com4 ]$ _- S. ]$ a' {3 } I6 T h
% p3 ]. y$ t, g; n' D. |% Z公仔箱論壇合作夥伴承認,他們與英特爾在下一代行動晶片領域的主要競爭,最終都將回歸到所能展示的FDSOI技術製造能力,以及能否為行動市場的設備製造商降低風險。3 m" R! d; w4 R
FDSOI的支持者表示,英特爾的FinFET在該公司推出14nm節點前都不會進入量產,而他們則已經在28nm節點生產,並準備前進到20nm。 7 N) Z* }; q- u2 h5 E. q9 m D7 v) d/ J2 L
7 P# l% \6 O: z6 V5 f: Nos.tvboxnow.comSOI產業聯盟執行總監Horacio Mendez堅稱“供應鏈就快要成形,”他並表示在六至九個月內就可提升到滿載生產。“我們不需要擔心FDSOI供應鏈。” 0 C% T3 A, j+ |6 v% O. @2 h* V
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; t, x1 F( B( ^( E編譯: Joy Teng ' T2 r" `) w, x7 A' @5 U8 pos.tvboxnow.com 8 ?( F9 p4 q% T m7 e- e: L- Y $ |8 k% z6 K ~tvb now,tvbnow,bttvb(參考原文: Ecosystem emerges around new moble chip tech ,by George Leopold)